Fabricante:
Package / Case:
Power - Max:
Supplier Device Package:
FET Type:
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Vgs(th) (Max) @ Id:
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
11,366 Registros
Imagen Parte Fabricante Descripción MOQ Valores Acción
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
1
RFQ
13,941
lang_0935
Obtener cotización
DMC2400UV-13 Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
1
RFQ
22,517
lang_0935
Obtener cotización
SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
1
RFQ
43,331
lang_0935
Obtener cotización
DMN2991UDA-7B Diodes Incorporated
MOSFET 8V~24V X2-DFN0806-6
1
RFQ
58,975
lang_0935
Obtener cotización
NX6008NBKSX Nexperia USA Inc.
NX6008NBKS/SOT363/SC-88
1
RFQ
24,364
lang_0935
Obtener cotización
NX7002AKS,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A SC-88
1
RFQ
31,150
lang_0935
Obtener cotización
PJT7839_R1_00001 Panjit International Inc.
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
1
RFQ
5,557
lang_0935
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NX3020NAKS,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP
1
RFQ
27,493
lang_0935
Obtener cotización
DMN601DWKQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363
1
RFQ
53,810
lang_0935
Obtener cotización
SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
1
RFQ
32,538
lang_0935
Obtener cotización
14 / 569 Page, 11366 Records