Fabricante:
Package / Case:
Power - Max:
Supplier Device Package:
FET Type:
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Vgs(th) (Max) @ Id:
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
11,366 Registros
Imagen Parte Fabricante Descripción MOQ Valores Acción
EPC2106 EPC
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
1
RFQ
74,459
lang_0935
Obtener cotización
BSM300D12P2E001 Kionix Inc.
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
1
RFQ
8,500
lang_0935
Obtener cotización
SSM6N7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A
1
RFQ
757,486
lang_0935
Obtener cotización
NTJD5121NT1G Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
1
RFQ
21,009
lang_0935
Obtener cotización
SSM6N37FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
1
RFQ
59,918
lang_0935
Obtener cotización
DMC2700UDM-7 Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
1
RFQ
1,301,929
lang_0935
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BSS138PS,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
1
RFQ
165,615
lang_0935
Obtener cotización
EM6K34T2CR Kionix Inc.
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
1
RFQ
26,165
lang_0935
Obtener cotización
2N7002BKS,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
1
RFQ
351,275
lang_0935
Obtener cotización
SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
1
RFQ
90,509
lang_0935
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